Produkt-Liste> IR-Empfänger> IR-Phototransistor-Durchgangsloch 2-Pin-Gehäuse
IR-Phototransistor-Durchgangsloch 2-Pin-Gehäuse
IR-Phototransistor-Durchgangsloch 2-Pin-Gehäuse
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    Lieferfähigkeit & Zusatzinformationen
    Additional Information

    VerpakungKartonschachtel

    Produktivität1000000000 pcs/week

    TransportOcean,Land,Air

    Ort Von ZukunftChina

    Unterstützung über7000000000 pcs/week

    Zertifikate GB/T19001-2008/ISO9001:2008

    HS-Code8541401000

    HafenSHENZHEN

    ZahlungsartT/T,Paypal

    IncotermFOB,EXW,FCA

    Produkteigenschaften

    Modell3106PT850D-A3

    MarkeBeste LED

    VersorgungsartOriginalhersteller

    ReferenzmaterialienDatenblatt

    SpeziesLED

    PakettypDurch das Loch

    ZertifizierungOther

    VerwendungOther

    AnwendungElectronic Products

    Luminous IntensityHigh Directivity

    ColorOther

    FormationGold Thread

    TypeInfrared Led

    Inner PackingAnti-Static Bag

    PolarityShort Pin Mark Cathode

    Range Of Spectral Bandwidth700-1100nm

    Type Of LensBlack Lens

    Collector-Emitter Voltage30v

    Emitter-Collector Voltage5v

    Wavelenghth Of Peak Sensitivity850nm

    Package Quantity1000pcs/Bag

    Half Sensitivity Angle60degree

    1000PCS Weight200g

    Verpackung & Lieferung
    Verkaufseinheiten: Piece/Pieces
    Pakettyp: Kartonschachtel

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    Unternehmensvideo
    Typ Durchsteck-LED als Rollenstreifen
    Produktbeschreibung

    IR-Empfänger 3162PT850D-A3


    Was ist der Unterschied zwischen der Leistung von Fotodioden und Fototransistoren?

    1. Der Fototransistor kann als integrierte Struktur von Fotodiode und Transistor betrachtet werden. Seine Eigenschaften sind die Ausgangseigenschaften der Fotodiode und die Eigenschaften des Transistors.
    2. Photodioden können ohne zusätzliche Stromversorgung als Spannungs- oder Stromquelle (zB Photovoltaikzellen) verwendet werden.
    3. Der Fototransistor muss mit einem externen Netzteil betrieben werden, damit er einen viel größeren Strom ausgeben kann als die Fotodiode, da er durch den Transistor verstärkt wurde.

    850nm ir LED

    - Size: 

    - Chip Number: 1 chips

    - Color: 850nm 

    - Type: Black  clear

    - Chip brand: Tyntek

    - 60 degree

    - Different color are available

    - Different wavelength are available

    - Warranty: 5 Years

    - RoHS, REACH, EN62471

    - Uniform light output

    - Long life-solid state reliability

    - Low Power consumption

    -Anti UV epoxy resin package

    -High temperature resistance






    - Größe der 3 mm IR-Durchsteck-LED -

    IR LED

    *Dieses Gehäuse ist auch für andere LEDs erhältlich, wie zum Beispiel: 5 mm grüne Durchgangsloch-LED, UV-LED, 660 nm LED, 940 nm LED, 5 mm blaue Durchgangsloch-LED, gelbe LED, gelbe LED usw. *

    - Funktionierende Durchsteck-IR-LED -

    PT850 led

    *Die Farben auf dem Foto wurden mit der Kamera aufgenommen, bitte nehmen Sie die tatsächliche emittierende Farbe als Standard.

    - Durchsteck-IR-LED-Parameter -

    Parameter

    Symbol

    Min

    Typ

    Max

    Unit

    Test Condition

    Collector-Emitter Voltage

    VCEO

    30 V

    Emitter-Collector Voltage

    VECO

    5 V

    Collector Dark Current

    ICEO


    100

    nA

    VCE=20V

    Ee=0mw/cm2

    Collector-Emitter

    Breakdown Voltage

    Bvceo

    30

    100

    V

    ICBO=100uA

    Ee=0mw/cm2

    Emitter-Collector

    Breakdown Voltage

    Bvceo

    6


    V

    IECO=10uA

    Collector-Emitter

    Saturation Voltage

    VCE(sat)


    0.4

    V

    IC=2mA

    IB=100uA

    Ee=1mw/cm2

    Photocurrent 1

    IPCE

    30


    90

    uA

    Vce=5V

    Ee=1mw/cm2

    λP=850nm

    Photocurrent 2

    IPCE 90
    270 uA

    VCE=5V

    Ee=1mw/cm2

    λP=940nm

    Current gain

    hFE

    270


    900

    uA

    VCE=5V

    IC=2mA

    Wavelenghth of Peak Sensitivity

    λP 850


    nm


    Range of Spectral Bandwidth

    λ0.5

    400


    1100

    nm


    Response Time-Rise Time

    tR

    15

    us

    Vce=5v

    Ic=1mA

    RL=1000Ω

    Response Time-Fall Time

    tF
    15
    us

    Half Sensitivity angle

    △λ

    ±10

    deg

    Collector-base Capacitance

    CCB

    8 PF F=1MHz,VCB=3V

    - Goldene Drahtverbindung -

    infrared led

    * Um die lange Lebensdauer jeder LED zu gewährleisten, verwendet BestLED werkseitig hochreinen Golddraht für die interne Schaltungsverbindung

    - IR-LED-Verpackung -

    infrared LED packaged

    * Wir können diese LED mit einer beliebigen Anzahl von Paketen verpacken und die LED-Pins nach Ihren Wünschen mit Klebeband oder Biegung versehen.

    - Zugehörige Infrarot-LED -

    IR LED

    - Produktionsprozess -

    LED LAMP

    - Durchsteck-IR-LED -

    Through -hol led

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    Category: IR-Empfänger
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