Contact Now
Please Leave Us A Message
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
- Zuhause
- Produkt-Liste
- Benutzerdefinierte LED
- Vollwellenlänge LED
- Infrarot-LED
- IR-Empfänger
- SMD führte
- Gewölbte LEDs
- LED Lampen
- RGB-LED.
Produkt-Liste> IR-Empfänger> 5mm Fototransistor (Detektor) IR-Empfänger Schwarzes Objektiv
5mm Fototransistor (Detektor) IR-Empfänger Schwarzes Objektiv
Holen Sie sich aktuelle Preis- Zahlungsart: T/T,Paypal,Western Union
- Incoterm: FOB,EXW,FCA
- Minimum der Bestellmenge: 5000 Piece/Pieces
- Transport: Ocean,Land,Air
- Hafen: SHENZHEN
Lieferfähigkeit & ZusatzinformationenAdditional InformationVerpakung: Kartonschachtel
Produktivität: 1000000000 pcs/week
Transport: Ocean,Land,Air
Ort Von Zukunft: China
Unterstützung über: 7000000000 pcs/week
Zertifikate : GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS-Code: 8541401000
Hafen: SHENZHEN
Zahlungsart: T/T,Paypal,Western Union
Incoterm: FOB,EXW,FCA
ProdukteigenschaftenModell: 503PT940D-A3
Marke: Beste LED
Verpackung & LieferungVerkaufseinheiten: Piece/Pieces Pakettyp: Kartonschachtel The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
Unternehmensvideo
Typ Durchsteck-LED als RollenstreifenProduktbeschreibung- IR-Empfänger-LED -
503PT940D-A3
Fototransistor ist auch PD - Diode genannt, 503PT940D-A3 ist ah ig h Geschwindigkeit und hochempfindlichen NPN Silizium - Foto tran Sistor. Es gibt andere ähnliche Produkte - Fotodioden. Was unterscheidet sich dann von Fotodiode und Fototransistor? Typischerweise kann der Phototransistor mehr große Leistung als Fotodiode erhält. Der P- Hototransistor hat ein Milliampere-Niveau. Der Dunkelstrom des Fototransistors ist größer. Die Reaktionszeit der Fotodiode ist kürzer, die Reaktionszeit des p- Hototransistors beträgt weniger als 100 Nanosekunden, die Reaktionszeit des p- Hototransistors beträgt weniger als 5 bis 20 Mikrosekunden. Die Linearität der Fotodiode ist besser, die Linearität des p- Hototransistors ist schlechter. Die Größe des PT-Chips ist jedoch gering, die Kosten sind niedrig, die Kosten des p- Hototransistors sind hoch. Die Fototransistorröhre ist anfälliger für den Einfluss der Umgebungstemperatur, die Schwankung des Fotostroms ist groß. Der Lichteingang des Fototransistors ist leicht gesättigt, was mit seinem hohen Verstärkungsfaktor zusammenhängt. Der Fototransistor kann zum Reflektieren und Empfangen von Lichtanlässen verwendet werden. Die Fotodiodenröhre empfängt im Allgemeinen direkt Licht. 503PT940D-A3 ist ein Fototransistor mit einem Betrachtungswinkel von 20 Grad.
- Size: 5.0*H8.7mm
- Chip Number:1 chips
- Color: 940nm
- Type: Black
- Chip brand: tyntek
- Different color are available
- Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471
- Uniform light output
- Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package
-High temperature resistance
- Größe 5 mm IR-Durchgangsloch-LED -
* Diese Größe ist auch für andere LEDs verfügbar, z. B. UV-LED, IR-LED (810-nm-LED, 850-nm-LED ...), gelbe LED, gelbe LED, RGB-LED und blinkende LED-Lampen * *
- Durchgangsloch-IR-Empfänger-LED -
* Die Farben auf dem Foto wurden mit der Kamera aufgenommen. Bitte nehmen Sie die tatsächlich emittierende Farbe als Standard.
- Durchgangsloch-IR-Empfänger-LED-Parameter -
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Collector-Emitter Voltage
VCEO
30 V
Emitter-Collector Voltage
VECO
6.5 V
Collector Dark Current
ICEO
100
nA
VCE=20V
Ee=0mw/cm2
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Bvceo
30
100
V
ICBO=100uA
Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector
Breakdown Voltage
Bvceo
6
V
IECO=10uA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.4 V
IC=2mA
IB=100uA
Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1
IPCE
30
90 uA
Vce=5V
Ee=1mw/cm2
λP=850nm
Photocurrent 2
IPCE 90
270 uA VCE=5V
Ee=1mw/cm2
λP=940nm
Current gain
hFE
270
900 uA
VCE=5V
IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity
λP 940
nm
Range of Spectral Bandwidth
λ0.5
400
1100 nm
Response Time-Rise Time
tR
15
us
Vce=5v
Ic=1mA
RL=1000Ω
Response Time-Fall Time
tF
15
us Half Sensitivity angle
△λ
±10
deg
Collector-base Capacitance
CCB
8 PF F=1MHz,VCB=3V - Goldene Drahtverbindung -
* Um die lange Lebensdauer jeder LED zu gewährleisten, verwendet BestLED ab Werk einen hochreinen Golddraht für den Anschluss innerhalb des Stromkreises
- IR LED Verpackung -
* Wir können diese LED mit einer beliebigen Anzahl von Paketen verpacken und die LED-Stifte nach Ihren Wünschen abkleben oder biegen.
- Verwandte IR-LED -
- Fertigungsprozess -
- Durchgangs-IR-LED -
In Kontakt kommenIf you have any questions our products or services,feel free to reach out to us.Provide unique experiences for everyone involved with a brand.we’ve got preferential price and best-quality products for you.Category: IR-EmpfängerAnfrage versenden
*
*
We will contact you immediatelyFill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
- Infrarot-LED