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Hochleistungs-850-nm-Infrarot-LED 1 W schwarzes Gehäuse

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Additional Information

Verpakung: Kartonschachtel

Produktivität: 1000000000 pcs/week

Transport: Ocean,Land,Air

Ort Von Zukunft: China

Unterstützung über: 7000000000 pcs/week

Zertifikate : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

HS-Code: 8541401000

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Produkteigenschaften

Modell: 8080FIRC-85L28I600

Marke: Beste LED

Verpackung & Lieferung

Verkaufseinheiten:	Piece/Pieces
Pakettyp:	Kartonschachtel

Unternehmensvideo

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Hochleistungs -IR -LED -SMD -Produktion

Produktbeschreibung

- Hochleistungs-IR-LED -

8080FIRC-85L28I600

850-nm-LED kann eine weit verbreitete Nachtsichtkamera sein, die Steuerung entfernen oder ein Sicherheitssystem. Die Wellenlänge von 850 nm ist eine Infrarotwellenlänge. Man könnte meinen, wir alle können die Infrarot-LED nicht sehen. Aber das Vertrauen ist, wir können sehen, dass es einen dunklen roten Fleck ausstrahlt, wenn es funktioniert. Wenn die Lichtintensität hoch ist, können große Dosen von Infrarotlichtbestrahlung auf der Netzhaut auch eine Sicht erzeugen und ein Gefühl von rotem Licht erzeugen, was das Phänomen der roten Explosion ist. Der Grund für das Phänomen der roten Explosion ist das Ergebnis einer großen Menge von Infrarotlicht, das auf die Netzhaut des menschlichen Auges scheint. Normalerweise hängt die rote Explosion eher mit der Wellenlänge zusammen als mit der Strahlungsleistung.

8080 3w ir LED

- Size: 8*H5.4mm

- LED Chip Size: 28mil

- Color: ir LED

- Lens type: Clear

- Chip brand: Epistar

- Different color are available

- Warranty: 5 Years

- Different wavelength are available

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Low Power consumption

- Long life-solid state reliability

- Anti UV epoxy resin package

- High temperature resistance

- - Bemaßungsparameter -

8080 3W LED size

* Die Größe ist auch in IR-LED, UV-LED, gelbe LED erhältlich *

- Leuchtfarbe -

- Elektrische Parameter -

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	1000mw
Pulse Forward Current	IFP	1000mA
Forward Current	IF	≤600mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Bag
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.5		2.2	V	IF=350mA
		1.6		2.5		IF=500mA
		0.7				IF=10uA
Radiant Intensity	Ee	100		160	mw/sr	IF=500mA
		150		200
		180		230
Peak Wavelength	λP	840	850	860	nm	IF=500mA
Half Width	Dl		25		nm	IF=500mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=500mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Goldene Drahtverbindung -

SMD LED Golddrahtverbindung

- Verpackung -

- Anwendung -

- Verwandte IR-LED -

- Produktion -

- Beachtung -

smd led

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Category: Hochleistungs-IR-LED

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