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Shenzhen Best LED Opto-electronic Co.,Ltd

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Hochleistungs-850nm-Infrarot-LED-3W-Gehäuse
Hochleistungs-850nm-Infrarot-LED-3W-Gehäuse
Hochleistungs-850nm-Infrarot-LED-3W-Gehäuse
Hochleistungs-850nm-Infrarot-LED-3W-Gehäuse

Hochleistungs-850nm-Infrarot-LED-3W-Gehäuse

Zahlungsart: L/C,T/T,Paypal,Money Gram,Western Union
Incoterm: FOB
Minimum der Bestellmenge: 100 Piece/Pieces
Lieferzeit: 7 Tage

Basisinformation

    Modell: 8080IRC-85L28I800-ES-60D

    Zertifizierung: RoHS, CE, ISO, Andere

    Anwendung: Elektronische Produkte

    Leuchtstärke: Hohe Richtwirkung

    Verwendung: Anzeigen, Leitfaden, Werbung Licht, Beleuchtung, Andere

    Farbe: Andere

    Bildung: Goldfaden

    Art: Ultra-High-Brightness LED

    Inner Packing: Anti-static Bag

    Polarity: Short Pin Is The Cathode

    Voltage: 2V

    Color: 850nm IR

    Power: 1W

    Current: 800mA

    LED Chip Size: 28mil

    Beam Width: 60 Degree

    Radiant Intensitye: 200-230mw/sr

    Chip Material: AlGaAs

Additional Info

    Verpakung: Kartonschachtel

    Produktivität: 1000000000 pcs/week

    Marke: BestLED

    Transport: Ocean,Land,Air

    Ort Von Zukunft: Shenzhen, China

    Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 7000000000 pcs/week

    Zertifikate : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

    HS-Code: 8541401000

    Hafen: Shenzhen

Produktbeschreibung

- Hochleistungs-IR-LED -

8080IRC-85L28I800-ES-60D

Hochleistungs-IR-LEDs können mit verschiedenen SMD-LED-Gehäusen geliefert werden. Wie wir wissen, wird die LED während des Betriebs eine zusätzliche Heizung erzeugen. Die Arbeitssituation bei hohen Temperaturen verringert die Lebensdauer von LED-Chips und führt zu einem hohen Beleuchtungsabfall. Um die lange Lebensdauer der Solid State-Zuverlässigkeit und die Strahlung zu erhalten, ist es besser, die Hochleistungs-LED mit einigen SMD-LED-Gehäusen zu verpacken hohe leistung in der wärmeabgabe .

8080 smd led

- Size: 8*H5.4mm

- LED Chip Size:28mil

- Color:  IR LED  

- Lens type:  Clear

Chip brand: Epistar

- Different color are available

- Warranty: 5 Years

- Different wavelength are available

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Low Power consumption

- Long life-solid state reliability

Anti UV epoxy resin package

- High temperature resistance

- Dimensionsparameter -

8080 2W LED size

- Leuchtfarbe -

PLCC6 LED 3CHIPS IR


- Elektrische Parameter -

Parameter 

Symbol 

Rating 

Power Dissipation 

Pd 

 1000mw 

Pulse Forward Current 

IFP 

 1500mA 

Forward Current 

IF 

 800mA 

Reverse Voltage 

VR 

5V 

Junction Temperature 

Tj 

115°C 

Operating Tempertature 

Topr 

-40 - +80°C 

Storage Tempertature 

Tstg 

-40 - +100°C 

Soldering Temperature 

Tsol 

260°C 

Electro-Static-Discharge(HBM) 

ESD 

3000v 

Warranty 

Time 

5Years 

Antistatic bag 

Piece 

1000Bag 

*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. 

*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C 

Parameter 

Symbol 

Min 

Typ 

Max 

Unit 

Test Condition 

Forward Voltage 

VF 

1.5 


1.9 

V 

IF=300mA 

1.6

2 

2.5 

V 

IF=800mA 


4.5 

V 

IFP=1500mA 

Radiant Intensitye 

Ee 

  

200

230  

mw/sr 

IF=300mA 

  

450 

 650 

IF=800mA 

  

1100 

  

IFP=1500mA 

Peak Wavelength 

λP 

840

850 

860

nm 

IF=20mA 

Half Width 

Dl 

  

25 

  

nm 

IF=20mA 

Viewing Half Angle 

2q1/2

  

±22 

  

deg 

IF=20mA 

Reverse Current 

IR 

  

  

5 

uA 

VR=5V 

*Luminous Intensity is measured by ZWL600. 

*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. 

*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. 

- Goldene Drahtverbindung -

PLCC2 LED HIGH IR



- Verpackung -

2w LED bag

- Bewerbung -

infrared LED LAMP

- Verwandte LED -


- Produktion -

Production Process of LED

- Beachtung -

smd led

Produktgruppe : Infrarot-LED > Hochleistungs-IR-LED

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Ms. ZhangFuqin

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Fax:86-0755-89752207

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